特許

J-GLOBAL ID：200903012981606748

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法、及び半導体レーザの製造方法

発明者： 仁道 正明 ,  木村 明隆 ,  砂川 晴夫 ,  山口 敦史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007340
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199419
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶表面の平滑性や結晶配向性に優れ、積層欠陥が少なく、さらに加工性に富む窒化ガリウム系化合物半導体および半導体レーザを提供する。【解決手段】 六方晶結晶基板上に六方晶窒化ガリウム系化合物半導体を形成する結晶成長方法であって、前記結晶基板の表面が、該結晶基板の(1,-1,0,1)面方位と等価な面方位からの傾斜角が5度以内の面方位を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。

請求項（抜粋）：

六方晶結晶基板上に六方晶窒化ガリウム系化合物半導体を形成する結晶成長方法であって、前記結晶基板の表面が、該結晶基板の(1,-1,0,1)面方位と等価な面方位からの傾斜角が5度以内の面方位を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18