特許

J-GLOBAL ID：200903012986202637

パターン形成方法

発明者： 辻田 好一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131991
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320929
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 レジストパターンのウエハへの密着性が良く、また、レジストパターンの形状の良いパターン形成方法を得る。【解決手段】 レジストの保護基がt-BOC基の場合、レジスト塗布に先立って、同じt-BOC基を有する塩化物を用いて、ウエハ1の表面処理を行い、表面の水酸基にt-BOC基を結合させる。これにより、レジストの密着性が向上し、また、露光部のウエハ表面で現像液の濡れ性が良くなってレジストパターンの形状が良くなる。

請求項（抜粋）：

ウエハの表面処理を行う工程と、上記表面処理されたウエハ上に化学増幅型ポジレジストによりレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に選択的に露光する工程と、上記露光後のレジスト膜に熱処理を行う工程と、上記熱処理後のレジスト膜を現像する工程とを含むパターン形成方法において、上記表面処理時に上記ウエハ表面の水酸基に、上記化学増幅型ポジレジストの樹脂の保護基と同じ保護基を結合させることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 501

FI (2件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/38 501