特許
J-GLOBAL ID：200903012988018299
ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018004
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226393
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 ブランケットCVDタングステン層のエッチバックにより、平坦性よく接続孔を埋め込むドライエッチング方法および装置を提供する。【構成】 接続孔6を含む基板上全面に高融点金属層5をブランケットCVDで形成し、ラジカルモードの高速エッチングと、イオンモードのオーバーエッチングを施す。エッチング装置は、基板ステージ15の移動手段と基板バイアス周波数の切り替え手段23を有する高密度プラズマエッチング装置を用いる。【効果】 オーバーエッチング時の過剰のFラジカルに基づくマイクロローディング効果を防止でき、異常浸食のないエッチバックが可能となる。またバルクエッチング過程は高エッチングレートで進行するので、スループットの低下を防止できる。これらの効果により、高信頼性のコンタクトプラグによる多層配線構造が実現できる。
請求項（抜粋）：
高融点金属層のエッチバックを行うドライエッチング方法において、ラジカル反応を主体とするエッチング条件により、該高融点金属層を実質的にその層厚を超えない厚さだけエッチングする第1のエッチバック工程と、イオンによるスパッタリングを主体とするエッチング条件により、該高融点金属層の層厚の残部をエッチングする第2のエッチバック工程とを施すことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/3205
, H01L 21/3213
H01L 21/302 L
, H01L 21/302 B
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 D
