特許

J-GLOBAL ID：200903012992435082

高分子材料の表面改質工法

発明者： 渋谷 務 ,  片山 薫 ,  白井 貢 ,  和井 伸一 ,  佐々木 秀昭 ,  岩田 泰宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064496
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259715
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 高分子材料の表面に滴下した液体の濡れ拡がり性を向上させる高分子材料の表面改質工法を得る。【構成】 基板2は、その表面に高分子材料による膜が設けられて構成される。この高分子材料のレーザ照射エリア1、すなわち、液体により基板状に仮固定される電子部品等の場所に、光エネルギとしてレーザ光3を照射する。レーザ光3としては、波長100nm〜600nm、エネルギ密度0.05J/cm2〜0.5J/cm2のものが使用される。【効果】 高分子材料に光エネルギを与えることにより表面改質が行われ、液体の濡れ拡がり性を向上させることができる。本発明による改質処理は、処理表面に、はんだ付けを行うための金属配線パターンが存在するような場合にも適用可能であり、また、必要なエリアのみの表面改質を行うことができるので、必要最小限の液体を使用するだけで、電子部品の仮固定を行うことができる。

請求項（抜粋）：

高分子材料の表面における液体の濡れ拡がり性を向上させる高分子材料の表面改質工法において、前記材料表面の改質を行うべき所望の領域の高分子材料の表面に光エネルギを照射することを特徴とする高分子材料の表面改質工法。

IPC (3件)：

C08J 7/00 302 ,  C08J 7/00 CEY ,  H05K 3/34 504

FI (3件)：

C08J 7/00 302 ,  C08J 7/00 CEY ,  H05K 3/34 504 A