特許
J-GLOBAL ID：200903013001582585

発光半導体装置

発明者：
塩原 利夫

塩原 利夫 について

, 
柏木 努

柏木 努 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-390461
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158764
出願日： 2003年11月20日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【解決手段】 発光半導体素子と基板とをシリコーン樹脂組成物をダイボンド材として使用して接着した発光半導体装置を、エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の硬化物で封止してなることを特徴とする発光半導体装置。【効果】 本発明によれば、発光半導体素子を基板に強固に接着することができ、封止材料の内部応力が小さく、光透過性に優れ、クラックやリード抜けが生じ難い発光半導体装置を提供することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光半導体素子と基板とをシリコーン樹脂組成物をダイボンド材として使用して接着した発光半導体装置を、エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の硬化物で封止してなることを特徴とする発光半導体装置。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  C09K3/10
FI (4件)：
H01L33/00 N ,  C09K3/10 G ,  C09K3/10 L ,  C09K3/10 Z
Fターム (19件)：
4H017AA04 ,  4H017AA31 ,  4H017AB08 ,  4H017AB15 ,  4H017AC07 ,  4H017AC16 ,  4H017AC17 ,  4H017AD06 ,  4H017AE05 ,  5F041AA44 ,  5F041CA76 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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