特許
J-GLOBAL ID：200903013011704751
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218214
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065213
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【目的】 Vfの低い窒化物半導体素子を実現して、発熱量の少ない素子を提供し、素子寿命を向上させると共に、LDのような高温動作のデバイスの連続発振を目指す。【構成】 負電極が表面に形成されたn型コンタクト層と、正電極が表面に形成されたp型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、n型コンタクト層との界面には凹凸が設けられていることにより、抵抗値が低下して、Vfが低下する。
請求項（抜粋）：
負電極が表面に形成されたn型コンタクト層と、正電極が表面に形成されたp型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、n型コンタクト層との界面には凹凸が設けられていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 31/04
, H01L 31/10
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 31/04 E
, H01L 31/10 A
