特許
J-GLOBAL ID:200903013014499423
素子の冷却構造体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
的場 基憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-203958
公開番号(公開出願番号):特開2004-047783
出願日: 2002年07月12日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】熱抵抗の増大を最低限に抑えつつ、応力を緩和して長期間の使用に耐えることができる素子の冷却構造体を提供する。【解決手段】熱膨張率の異なる複数の板状部材としてハンダ層2と回路箔3を積層すると共に、ハンダ層2上に半導体素子1を備えた冷却構造体において、ハンダ層2に、半導体素子1の略中心に対応する位置を中心にして複数の細長い空洞部4を放射状に形成することにより、熱抵抗の増大を最低限に抑えつつ応力を緩和して、長寿命化を実現した。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
熱膨張率の異なる複数の板状部材を積層すると共に、最上層の板状部材の上に発熱する素子を備えた冷却構造体において、少なくとも一つの板状部材に、素子の略中心に対応する位置を中心にして複数の細長い空洞部を放射状に形成したことを特徴とする素子の冷却構造体。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/36 D
, H01L23/40 F
Fターム (4件):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BC06
, 5F036BD01
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