特許
J-GLOBAL ID：200903013015360470
負性抵抗ダイオード発振器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273061
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116074
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 共振器を有する負性抵抗ダイオード発振器を小型化し、モノリシック化、集積化を可能にする。【構成】 S.I.GaAs基板10上にはn型GaAsコンタクト層11、量子井戸構造12、n型GaAsコンタクト層13が順次形成され、高抵抗化領域14に囲まれて共鳴トンネルダイオード構造が形成されている。コンタクト層11、13上にはオーミック電極15、16が形成されている。半導体基体全体は、結合窓18の部分を除いて共振器を構成する金属膜17により被覆されている。量子井戸構造12は、ノンドープGaAs量子井戸層12aと、これを両側から挟むノンドープAlAs量子障壁層12bと、その両側に形成されたノンドープGaAsスペーサ層12cの積層構造によって構成されている。
請求項（抜粋）：
負性抵抗ダイオード構造がその内部に形成された半導体構造と、前記負性抵抗ダイオード構造に直流電圧を印加するための一対の電極と、前記半導体構造に密着して形成された、電磁波を閉じ込めるとともにその一部を取り出すための出力手段が備えられた共振器構造と、を具備することを特徴とする負性抵抗ダイオード発振器。
IPC (3件)：
H01L 29/88
, H01L 29/205
, H01L 29/68
H01L 29/88 S
, H01L 29/205
, H01L 29/88 Z
