特許

J-GLOBAL ID：200903013015726679

半導体チップおよびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 谷口 斉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194011
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064799
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、接合強度が強くかつ接触抵抗が低い裏面電極を有する半導体チップとそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 本発明の半導体チップは、n型のシリコン基板11と、このシリコン基板11の1主面に形成されたバナジウムと第V族金属とからなる合金層17と、この合金層17の上に形成されたニッケル層18と、このニッケル層の上に形成された金層19とを有することを特徴としている。この半導体チップをろう材を介して外囲器部品のダイパッドに加熱融着させる。

請求項（抜粋）：

n型のシリコン基板と、このシリコン基板の1主面に形成されたバナジウムと第V族金属とからなる合金層と、この合金層の上に形成されたニッケル層と、このニッケル層の上に形成された金層と、を具備することを特徴とする半導体チップ。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/46 H ,  H01L 21/88 J ,  H01L 29/44 B