特許

J-GLOBAL ID：200903013020546360

シリコン膜、シリコン配線、シリコン電極の形成方法及びMOSトランジスタの製造方法

発明者： 野間 崇
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012545
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 工程数の少ないシリコン配線、シリコン電極の形成方法を提供する。【解決手段】 プラズマ、エキシマレーザ、イオンビームなどを酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜状に照射することによって、Si-OもしくはSi-Nの結合を切断することができる。すると、ここから酸素もしくは窒素が脱離し、表層にシリコンが析出する。この析出したシリコンを用いることによって、フォトレジストを用いずにシリコン配線、シリコン電極を形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜上に真空中でレーザを照射し、シリコン原子と酸素原子又は窒素原子との結合を切断して、酸素分子又は窒素分子を離散させることによってシリコンを析出させるシリコン膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/88 P ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (11件)：

5F033AA48 ,  5F033BA02 ,  5F033BA41 ,  5F033CA04 ,  5F033EA02 ,  5F033EA25 ,  5F033EA26 ,  5F033EA28 ,  5F040EC07 ,  5F040ED04 ,  5F040FC00