特許

J-GLOBAL ID：200903013024363155

半導体スイッチング素子及びこれを備えた半導体リレー

発明者： 砂田 卓也
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-285048
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング特性を安定にする。【解決手段】 シリコン単結晶領域2を誘電体膜3を介して多結晶シリコン層1により一体化してなる誘電体分離基板4と、シリコン単結晶領域2近傍の電位を固定する電極6と、交流の開閉用に接続された両出力端子12,12と、電極6を基準とした接続方向を同一として両出力端子12,12と電極6との間にそれぞれ接続されたダイオード15と、を備えた構成にしている。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶領域を誘電体膜を介して多結晶シリコン層により一体化してなる誘電体分離基板と、シリコン単結晶領域近傍の電位を固定する電極と、交流の開閉用に接続された両出力端子と、電極を基準とした接続方向を同一として両出力端子と電極との間にそれぞれ接続されたダイオードと、を備えたことを特徴とする半導体スイッチング素子。

IPC (6件)：

H03K 17/78 ,  G05F 1/44 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/861 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H03K 17/78 G ,  G05F 1/44 Z ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/91 C ,  H01L 31/10 A

Fターム (32件)：

5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA09 ,  5F048BG07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB10 ,  5F049RA07 ,  5F049RA08 ,  5F049UA07 ,  5F049UA14 ,  5H420BB12 ,  5H420CC04 ,  5H420DD03 ,  5H420EA14 ,  5H420EA42 ,  5H420EB01 ,  5H420EB32 ,  5H420EB38 ,  5J050AA37 ,  5J050AA50 ,  5J050BB21 ,  5J050CC03 ,  5J050DD01 ,  5J050DD08 ,  5J050EE02 ,  5J050EE27 ,  5J050FF04 ,  5J050FF08