特許

J-GLOBAL ID：200903013035975950

超臨界乾燥装置

発明者： 生津 英夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-141273
公開番号（公開出願番号）：特開2001-324263
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 パターン倒れの発生を極力抑制した状態で超臨界乾燥が行えるようにする。【解決手段】 ノズル108と基板載置台103との間に、基板載置台103に対向して斜流板112を設け、また、斜流板112は、基板載置台103上に載置される基板104に対して、実質的に平行となるように配置する。

請求項（抜粋）：

処理対象の基板を載置する反応室を備えた密閉可能な容器と、前記反応室内に大気雰囲気では気体である物質の液体を供給する液体供給手段と、前記反応室内の前記基板中央部の上方に配置され、前記液体供給手段により供給された前記物質の液体を前記反応室内の前記基板上部に吐出するノズルと、このノズルと前記基板との間に配置され、前記ノズルから吐出された前記物質の流れる方向を、前記基板表面に対して90°未満となり、かつ前記基板の中心部を円心とする円周の方向に変更する複数の開口部を備えた斜流板と、前記反応室内に導入された流体を排出する排出手段と、前記反応室内の圧力を前記物質が超臨界状態となる圧力まで加圧制御する制御手段と、前記反応室内の温度を所定の温度に制御する温度制御手段とを備えたことを特徴とする超臨界乾燥装置。

IPC (4件)：

F26B 3/04 ,  F26B 21/14 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 651

FI (4件)：

F26B 3/04 ,  F26B 21/14 ,  H01L 21/304 651 Z ,  H01L 21/30 570

Fターム (11件)：

3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AC28 ,  3L113AC46 ,  3L113AC48 ,  3L113AC67 ,  3L113AC75 ,  3L113BA34 ,  3L113DA24 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19