半導体ウェハ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215568
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033360
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】テスト時間の短縮化を図ることが可能な半導体ウェハを提供する。【解決手段】被試験半導体ウェハは、各チップ2の列に対応してダイシングライン3に形成されたテスト配線4,5と、それぞれテスト配線4,5に接続されたテスト端子6,7とを備える。ウェハレベルバーンインテスト時は、テスト端子6,7にそれぞれストレス電源電位SVCCおよび接地電位GNDを与えて全チップ2に同時に電圧ストレスを与える。したがって、テスト時間が短くて済む。

請求項（抜粋）：

それぞれに半導体装置が形成され、互いにダイシングラインで分離された複数のチップを含む半導体ウェハであって、前記ダイシングライン上に形成されて前記複数のチップのうちの少なくとも2つのチップに接続され、前記半導体装置をテストするためのテスト信号を伝達するためのテスト配線を備える、半導体ウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01R 31/28 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 21/66 E , H01L 21/66 W , G01R 31/28 B , G01R 31/28 U , H01L 27/04 T

Fターム (24件)：

2G032AA07 , 2G032AB02 , 2G032AD01 , 2G032AD07 , 2G032AG07 , 2G032AK04 , 2G032AK15 , 4M106AA01 , 4M106AA08 , 4M106AB07 , 4M106AC01 , 4M106AD02 , 4M106AD13 , 4M106AD22 , 4M106AD23 , 4M106BA14 , 4M106BA20 , 4M106CA01 , 4M106CA56 , 5F038CA13 , 5F038CD02 , 5F038DF05 , 5F038DT18 , 5F038EZ20

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