特許

J-GLOBAL ID：200903013043971638

ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

発明者： 谷 真理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195846
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 PtあるいはPZTを含む膜を平行平板ドライエッチング装置においてドライエッチングする際に、ドライエッチング装置中の電極のクリーニングを簡素化する。【解決手段】 クリーニングの際に、ドライエッチング装置中において被処理基板を担持する電極に対向する対向電極に、高周波電力と低周波電力とを同時に供給し、プラズマを被処理基板近傍の位置に変位させることにより、前記対向電極上に蓄積した不純物を除去する。

請求項（抜粋）：

第1の電極と第2の電極とからなる一対の平行平板電極を備えたドライエッチング装置中にプラズマガスを導入する工程と、前記第2の電極に、高周波電圧と、前記高周波電圧よりも周波数の低い低周波電圧とを、同時に印加し、前記第2の電極をクリーニングする工程と、前記ドライエッチング装置中にエッチングガスとを導入する工程と、被処理基板を、前記ドライエッチング装置の前記第1の電極上に装着する工程と、前記第2の電極に、前記高周波電圧を印加することにより、前記被処理基板をエッチングする工程とを含むことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 A

Fターム (25件)：

4K057DA01 ,  4K057DB08 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DG15 ,  4K057DM05 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM32 ,  4K057DM33 ,  4K057DN02 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08