特許
J-GLOBAL ID：200903013050413594
n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207274
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045867
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子を実現するにあたり、n型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共にアニーリング時に変質しにくい電極を提供することにより、発光素子の発光効率および信頼性を高める。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成され、n型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミック接触が得られた電極であって、前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層された多層膜よりなる。
請求項（抜粋）：
n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成され、n型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミック接触が得られた電極であって、前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層された多層膜よりなることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極。
引用特許：
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