特許

J-GLOBAL ID：200903013052178452

放射性核種放射を画像化する装置

発明者： フレイザー・ジョージ・ウィリアム ,  オット・ロバート・ジョン ,  リース・ジョン・アーネスト・ワイパー
出願人/特許権者： ユニヴァーシティ オブ レイセスター
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-548474
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515768
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

電荷結合素子またはCMOS活性ピクセルセンサ装置と、電荷結合素子またはCMOS活性ピクセルセンサ装置に直接に接触するシンチレータ層とを備え、シンチレータ層の厚さが200μmよりも大きく、好ましくは400μmよりも大きく、最も好ましくは約500μmよりも大きい、放射性核種放射を画像化する装置が開示されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電荷結合素子またはCMOS活性ピクセルセンサ装置と、電荷結合素子またはCMOS活性ピクセルセンサ装置に直接に接触するシンチレータ層とを備え、前記シンチレータ層の厚さが200μmよりも大きく、好ましくは400μmよりも大きく、最も好ましくは約500μmよりも大きいことを特徴とする放射性核種放射を画像化する装置。

IPC (5件)：

G01T1/20 ,  G01T7/00 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32

FI (7件)：

G01T1/20 B ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G ,  G01T7/00 B ,  H04N5/32 ,  H01L31/00 A ,  H01L27/14 K

Fターム (39件)：

2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF04 ,  2G088GG10 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ12 ,  2G088KK11 ,  2G088KK35 ,  4C093AA30 ,  4C093CA50 ,  4C093EB12 ,  4C093EB20 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CB11 ,  4M118GA10 ,  4M118HA23 ,  4M118HA36 ,  5C024AX16 ,  5C024CY47 ,  5C024GX01 ,  5C024GX07 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5F088AA20 ,  5F088BA07 ,  5F088BA15 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088DA20 ,  5F088EA04 ,  5F088EA06 ,  5F088JA17 ,  5F088LA07