特許

J-GLOBAL ID：200903013057579374

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 田中 壯和 ,  小林 伸彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039987
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243784
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】より小型化・薄型化された半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、金属バンプ3を介して第1ベース基板21上に設置されてなる半導体チップ1の前記金属バンプ3の設置面の反対面と、前記第1ベース基板21とは分離して前記第1ベース基板21と同一面上に形成されてなる第2ベース基板22とが金属箔4で接続されてなる。以上により上記目的を達成することができる。

請求項（抜粋）：

金属バンプを介して第1ベース基板上に設置されてなる半導体チップの前記金属バンプの設置面の反対面と、前記第1ベース基板とは分離して前記第1ベース基板と同一面上に形成されてなる第2ベース基板とが金属箔で接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/50

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/50 A