特許
J-GLOBAL ID：200903013061046879
半導体ウェハの補強方法及び補強された半導体ウェハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037768
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ホットメルト接着剤中に残留する気泡の数を減少させることのでき、かつ、ホットメルト接着剤中に残留する個々の気泡の体積を小さくすることのできる半導体ウェハの補強方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の請求項1に係る半導体ウェハの補強方法は、一面が平坦となった補強部材上に半導体ウェハを加熱により軟化したホットメルト接着剤によって密着させることにより半導体ウェハを補強する第1のステップと、補強された半導体ウェハをホットメルト接着剤を軟化させたままで大気圧よりも低圧の雰囲気に所定の時間放置し、ホットメルト接着剤を脱泡する第2のステップと、第2のステップでの雰囲気よりも高い気圧下で補強された半導体ウェハを冷却することにより、ホットメルト接着剤を硬化させる第3のステップとを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一面が平坦となった補強部材上に半導体ウェハを加熱により軟化したホットメルト接着剤によって密着させることにより前記半導体ウェハを補強する第1のステップと、前記補強された半導体ウェハを前記ホットメルト接着剤を軟化させたままで大気圧よりも低圧の雰囲気に所定の時間放置し、前記ホットメルト接着剤を脱泡する第2のステップと、前記第2のステップでの雰囲気よりも高い気圧下で前記補強された半導体ウェハを冷却することにより、前記ホットメルト接着剤を硬化させる第3のステップとを備えることを特徴とする半導体ウェハの補強方法。
引用特許：
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