半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347383
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081443
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】高強誘電体薄膜をキャパシタ絶縁膜用い、漏れ電流が少なく、容量が大きく、かつ残留分極が高いコンデンサを有し、大規模集積回路(LSI)のメモリを提供する。【解決手段】順次積層して形成された下部電極(102)、高強誘電体薄膜(103)および上部電極(104)を有するキャパシタを具備し、上記上部電極(104)には、電極を構成する金属または酸化物導電体の触媒活性度を抑制する不純物が添加されている。上部電極(104)形成後に行われる、水素熱処理による容量低下、絶縁不良および電極剥離などの障害発生が防止され、長期信頼性も向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上に、第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極上にビスマス、ストロンチウム、バリウムの何れかを含有する強誘電体膜を形成する工程と、前記強誘電体膜上にイリジウムまたはルテニウム酸化物導電体を主成分とする第2の電極を形成する工程と、前記第2の電極上に鉛、ビスマス、ストロンチウム、バリウムの何れかの膜を形成する工程と、前記何れかの膜を形成する工程の後、酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 621Z , H01L27/10 651

Fターム (19件)：

5F083AD21 , 5F083AD48 , 5F083FR02 , 5F083GA27 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR23 , 5F083PR39

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭63-201998号
米国特許第5、005、102号明細書

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