特許

J-GLOBAL ID：200903013061720030

圧接型半導体装置

発明者： 加藤 光雄 ,  梶原 良一 ,  児玉 弘則 ,  澤畠 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-256441
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097463
出願日： 1997年09月22日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は、圧接型半導体装置において、特に半導体素子とパッケージ電極間の熱抵抗,電気抵抗を低減し、均一な接触を確保する方法を提供し、さらに上記半導体装置を用いて大容量のシステムに好適な変換器を提供する。【解決手段】第一主面に第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する半導体素子の各主面上に中間電極板を配置し、さらにこれらが一対の主電極板の間に組み込まれた圧接型半導体装置において、半導体素子の主電極と中間電極板の少なくとも一方が複数の金属バンプによって接合された構造の圧接型半導体装置。

請求項（抜粋）：

第一主面に第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する半導体素子の各主面上に中間電極板を配置し、さらにこれらが一対の主電極板の間に組み込まれた圧接型半導体装置において、半導体素子の主電極と中間電極板の少なくとも一方が複数の金属バンプによって接合されたことを特徴とする圧接型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/52 J ,  H01L 29/74 L ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/78 652 Q