特許

J-GLOBAL ID：200903013063452114

強誘電体薄膜及びその作製方法

発明者： 木村 祥子 ,  秋山 善一 ,  藤村 格
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087894
公開番号（公開出願番号）：特開平5-257103
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 多結晶膜を用いて、単結晶膜と同等に優れた諸特性を有する強誘電体薄膜を作製する。【構成】 LiOC2 H4 OCH3 とNb(OC2 H4 OCH3)5 を原料としてSol-Gel法により塗布液を調製し、これをC面サファイヤ単結晶基板上にスピンコートして、アニールしたのち焼結する。得られたLN膜は高い結晶性を有し、C軸に配向しており、気孔は、径が平均300Åで占有面積は膜全体に対し0.9%、膜の屈折率はno =2.139、ne =2.179である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された多結晶配向膜であり、膜表面に存在する空孔は、占有面積が多結晶配向膜の全表面積の2.5%以下であることを特徴とする強誘電体薄膜。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-085267
  
• 特開昭62-139983