炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114846
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309262
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】新規な構成にてチャネル移動度を向上させ、オン抵抗の低減を図ることができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】n+型炭化珪素基板1の上に、n-型ドリフト層2が形成され、このドリフト層2の表層部にp型ベース領域3a,3bが形成されるとともに当該ベース領域3a,3bの表層部にn+型ソース領域4a,4bが形成され、さらに、ベース領域3a,3bの表面部においてソース領域4a,4bとドリフト層2を繋ぐようにチャネル層5が配置され、チャネル層5に対しゲート絶縁膜7を介してゲート電極8を配している。チャネル層5における少なくともゲート絶縁膜7と接する部位での不純物濃度は1×1017cm-3以上となっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の炭化珪素基板(1)の上に、エピタキシャル膜よりなり前記基板(1)よりも低い不純物濃度の第1導電型のドリフト層(2)が形成され、このドリフト層(2)の表層部に第2導電型のベース領域(3a,3b)が形成されるとともに当該ベース領域(3a,3b)の表層部に第1導電型のソース領域(4a,4b)が形成され、さらに、前記ベース領域(3a,3b)の表面部において前記ソース領域(4a,4b)とドリフト層(2)を繋ぐように炭化珪素よりなる第1導電型のチャネル層(5)が配置され、当該チャネル層(5)に対しゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を配した炭化珪素半導体装置において、前記チャネル層(5)における少なくとも前記ゲート絶縁膜(7)と接する部位での不純物濃度を1×1017cm-3以上にしたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653

FI (3件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 653 A

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