特許
J-GLOBAL ID：200903013067931726
赤外線検知素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175476
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 赤外線検知素子の製造方法に関し、基板表面が平坦な状態で素子分離が実施でき、かつx値の等しいHg1-x Cdx Te結晶面に素子が配置され、かつ検知器の入射光の集光レンズの焦点面に対して位置ずれが少ない高解像度、高分解能な赤外線検知素子の製造方法を目的とする。【構成】 基板1上に形成した水銀を含む化合物半導体結晶2の素子形成予定領域以外の領域を、保護膜21で選択的に被着し、次いで該基板1を熱処理して上記保護膜21で被覆された領域以外の水銀を含む化合物半導体結晶2より水銀を蒸発させ、該水銀が蒸発した結晶領域23を素子分離領域として用いることで構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1) 上に形成した水銀を含む化合物半導体結晶(2) を用いて赤外線検知素子(4) を形成するに際し、上記水銀を含む化合物半導体結晶(2) を選択的に熱処理して水銀を蒸発させる工程を有することを特徴とする赤外線検知素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/14
, G01J 1/02
, G01J 5/02
