特許

J-GLOBAL ID：200903013069390277

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大岡 洋介
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083090
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296499
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】パッド部表面が溶けるような外観異常をなくし、高信頼性のパッド部を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁膜10上に配線層としてアルミニウム配線11が形成されている。ここでのアルミニウム配線11は各配線の最上層に位置し、パッドPADに繋がる。各配線は、少なくともエレクトロマイグレーション抑制のため、CuまたはCu及びSiを含有した、アルミニウムを主成分とする各配線で構成される。しかし、各配線のうち、最上層配線の一部分のみ実質的な純アルミニウムを配し、パッド部PADとしては、実質的な純アルミニウム表面12を露出させている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

外部配線半導体集積回路に構成される多層配線として少なくとも銅または銅及びシリコンを含有した、アルミニウムを主成分とする各配線と、 前記各配線のうち、最上層配線の一部分のみ実質的な純アルミニウムを配し、実質的な純アルミニウム表面を露出させたパッド部と、 前記パッド部を除いて前記最上層配線を保護する絶縁膜と、 を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/88 N ,  H01L21/88 T

Fターム (18件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE13 ,  5F044EE21