特許
J-GLOBAL ID：200903013069711251
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086136
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297414
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【構成】本発明においては、結晶欠陥31を幾つかに分割し、それぞれの形成位置を素子の縦方向に対し差を持たせて形成する。またこの結晶欠陥31の形成位置は、PN接合の界面から少数キャリアの拡散長以内の位置に形成し、少数キャリアをそのライフタイム内に捕獲する。【効果】本発明によれば、素子内に結晶欠陥を通過することのない電流路が確保されるために、素子のオン抵抗が低減される。また、結晶欠陥はPN接合界面より少数キャリアの拡散長離して形成されることにより、スイッチング速度が向上しリーク電流が低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された第一導電型及び第二導電型の領域と、前記第一導電型の領域に接続された第一電極と、前記第二導電型の領域に接続された第二電極と、前記半導体基板内に結晶欠陥を有する半導体装置において、前記結晶欠陥は複数に分割されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/861
, H01L 21/322
