特許

J-GLOBAL ID：200903013070713039

強誘電体薄膜の作成方法および強誘電体薄膜の製造装置

発明者： 久野 忠昭 ,  名取 栄治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095771
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284167
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜の結晶化において、加熱工程で基板に蓄積された膜応力によって生起されるところの強誘電体結晶構造の劣化を低減させる。さらに繰り返し疲労特性を改善する。【解決手段】強誘電体薄膜を積層した基板の端部を直径方向に移動させた状態にて、加熱結晶化を行う。この時、基板の直径方向移動量を調整することにより、加熱結晶化工程で強誘電体薄膜にかかる膜応力を所望量に制御することが出来る。この結果、結晶構造の改善、さらには繰り返し疲労特性を改善することが出来る。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜の結晶化工程において、強誘電体薄膜を積層した基板の端部を直径方向に移動させた状態にて、加熱結晶化を行うことを特徴とする強誘電体薄膜の作成方法。

IPC (6件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/18

FI (5件)：

H01G 4/12 400 ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/18 101 Z

Fターム (24件)：

5E001AB06 ,  5E001AH00 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC33 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG41 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM11 ,  5E082MM23 ,  5E082MM24 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33