電子装置の製造方法、巻き取り製造工程、薄膜トランジスタ及び塗布装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 宮坂一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-297445
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129227
出願日： 2006年11月01日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】電子装置の製造のための速やかで廉価な高解像度パターニング方法を提供する。【解決手段】電子装置の製造方法は、表面エネルギーパターンを基板上に作成し、第1の液体を基板上にブラシ塗布し、基板上の表面エネルギーパターンに応じて液体のパターンを形成する工程を有する。また、薄膜トランジスタは、導電層と、導電層上に形成された絶縁体の層と、絶縁体の層の上に形成された導電物質及び第1の自己組織化単層膜(SAM)のパターンと、導電物質上に形成された第2のSAMと、第1のSAM及び第2のSAMとの上に形成された半導体層とを有する。更に、塗布装置はインク吸収性のブラシヘッドと、インク流路によってブラシヘッドに接続されたインク容器と、搬送ベルトとを有し、搬送ベルトの表面がブラシヘッドと対向している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電子装置の製造方法であって、基板上に表面エネルギーパターンを作成する第1の工程と、第1の液体を前記基板上にブラシ塗布し、前記基板上の前記表面エネルギーパターンに応じて液体のパターンを形成する第2の工程と、を有すること、を特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/288 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/417

FI (7件)：

H01L21/288 Z , H01L29/78 616K , H01L29/78 627C , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310L , H01L29/50 M

Fターム (43件)：

4M104AA09 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG08 , 5F053AA06 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH02 , 5F053LL10 , 5F058AC10 , 5F058AD09 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HK42

引用特許：

審査官引用 (5件)

ナノ構造型薄膜電極の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-620672 出願人：フォッシュカルパテント・イー・ウプサラ・アクチボラゲット
金属ないし金属化合物薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-341962 出願人：株式会社荏原製作所
電子装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-559888 出願人：プラスティックロジックリミテッド

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