特許
J-GLOBAL ID：200903013073144949
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090262
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】下層配線の疎密によらず微細多層配線を精度良く実現する。【構成】素子を形成した半導体基板1にあらかじめ配線膜厚以上の第1の絶縁膜7を形成しておき、この上部に電解メッキの給電層となる第1の導電膜8を形成する。配線形成領域に凹状の溝10を形成したのち、絶縁膜との密着性及び給電のため第2の導電膜11を形成する。次で溝の側部に絶縁膜からなるサイドウオール13を形成する。次で溝内に電解メッキにより配線となるメッキ導体14を形成する。これにより絶縁膜表面と配線表面の高さを等しくできるため完全平坦な多層配線が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成された凹状の溝と、この溝内に埋込まれた配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
, H01L 21/318
