特許

J-GLOBAL ID：200903013075836007

結晶半導体の製造方法および製造装置

発明者： 松浦 由紀 ,  三橋 浩 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242782
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092745
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】本発明は非晶質シリコン膜をレーザアニールより結晶化させる技術を用いて、表面凹凸をAFM 測定によるRMS値10nm以下に抑えられた平坦な多結晶シリコン膜を得ることができ、低リーク電流,かつ絶縁破壊特性の良好な(ゲート耐圧の高い)高移動度多結晶シリコンTFTが提供できる。【解決手段】本発明はアモルファスシリコン膜表面に形成される自然酸化膜をドライエッチングで除去した後、アモルファスシリコン膜をレーザアニールにより結晶化させることを特長とし、ドライエッチングからレーザアニールの工程は真空一貫プロセスを用いて基板搬送を行いレーザアニールも1×10-2Toor以下の真空中で行うことを特徴とする多結晶半導体の製造方法および製造装置である。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、この非晶質半導体膜表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記半導体膜表面に前記自然酸化膜が除去された状態で前記半導体表面にエネルギビームを照射する工程とを具備することを特徴とする結晶半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G