特許

J-GLOBAL ID：200903013076861528

半導体装置及び半田による接合方法

発明者： 赤松 俊也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323197
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150574
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 電極への半田の濡れ性を確保するとともに、バリア層のNi等の半田中への拡散を抑制して半田接合の機械的強度を向上させる。【解決手段】 第1の基板21と第2の基板26にそれぞれ形成された少なくともNi膜又はNi合金膜23a,28を有する電極同士がSnを主成分とする半田25bにより接合されてなる半導体装置において、Ni膜又はNi合金膜23a,28と半田25bとの間に半田25bと接するようにAu-Sn化合物膜31a,31bが介在している。

請求項（抜粋）：

第1の基板と第2の基板にそれぞれ形成された少なくともNi膜又はNi合金膜を有する電極同士がSnを主成分とする半田により接合されてなる半導体装置において、前記Ni膜又はNi合金膜と前記半田との間に前記半田と接するようにAu-Sn化合物膜が介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 H

Fターム (5件)：

5F044KK04 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-066492