半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201341
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058297
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】リファレンス電位の測定と不良メモリセルの検出を同時に1回のウェハーテストで行う。【構成】所望リファレンス電位の測定はパットP1をGNDにすることでリファレンス電位発生回路10の出力3がリファレンスの電位によりその状態で測定し、不良メモリの検出は、パットP1に所望の電位をあたえて行う。この時、インバータI1のしきい値は所望の電位より低く設定する。

請求項（抜粋）：

外部の基準電位によりリファレンス電位を出力するリファレンス電位発生回路と、このリファレンス電位を受ける第1の端子と一方の電極を第1のパットに接続し他方の電極を第2の端子に接続した第1のトランスファーゲートと一方の電極を前記第2の端子に接続し他方の電極を前記第1の端子に接続する第2のトランスファーゲートと入力を前記第1のパットに接続した第1のロジック回路と入力をこの第1のロジック回路の出力に接続した第2のロジック回路と前記第1のパットと電源端子との間に配置した負荷手段とを備え前記第1のロジック回路の出力および前記第2のロジック回路の出力とで前記第1および第2のトランスファーゲートを制御し前記リファレンス電位の制御をし所望の電位を出力する中間電位出力回路と、外部から与えられた電位と前記所望の電位とを比較し判定信号を出力するリファレンス電位測定回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 27/08 , G01R 31/26 , G01R 31/28 , G11C 29/00 301 , H01L 21/66 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

G01R 31/28 V , H01L 27/04 T

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