特許

J-GLOBAL ID：200903013079667323

半導体集積回路装置

発明者： 大川 重明 ,  扇野 広一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184693
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031576
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】出力トランジスタ保護に適したスパークキラーダイオードを内蔵した半導体集積回路装置において、基板への漏れ電流が大きく所望の順方向電流が得られないという課題があった。【解決手段】本発明の半導体集積回路装置では、第2のエピタキシャル層23表面にP+型の第1および第2の拡散領域34、32を一部重畳するように形成する。そして、P+型の第2の拡散領域32の直上部でアノード電極39と接続させ、寄生抵抗R1を寄生抵抗R2より大きくすることに特徴を有する。そのことで、基板21への漏れ電流の原因である寄生PNPトランジスタTR2の動作を抑制させ、漏れ電流を大幅に低減することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、 該基板表面に少なくとも1層は積層される逆導電型のエピタキシャル層と、 前記基板と第1層目のエピタキシャル層との間に形成される第1の逆導電型の埋め込み層と、 前記基板と前記第1層目のエピタキシャル層との間に形成され、且つ前記第1の逆導電型の埋め込み層と重畳して形成されている第1の一導電型の埋め込み層と、 前記第1の一導電型の埋め込み層と連結し、且つ最上層のエピタキシャル層に形成される第1の一導電型の拡散領域とも連結する一導電型の埋め込み領域と、前記第1の逆導電型の埋め込み層と連結し、且つ前記最上層のエピタキシャル層に形成される第1の逆導電型の拡散領域とも連結する逆導電型の埋め込み領域と、 前記第1の一導電型の拡散領域に囲まれた前記最上層のエピタキシャル層に形成される第2の逆導電型の拡散領域とを有し、 前記最上層のエピタキシャル層に形成される第2の一導電型の拡散領域は前記第1の一導電型の拡散領域と少なくともその一部を重畳させ、且つアノード電極は前記第1の逆導電型の拡散領域と前記第2の一導電型の拡散領域とを接続することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L29/861 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

FI (3件)：

H01L29/91 L ,  H01L27/06 101P ,  H01L27/04 H

Fターム (11件)：

5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH15 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA33 ,  5F082BC03 ,  5F082BC11 ,  5F082EA09 ,  5F082EA22