特許
J-GLOBAL ID：200903013083752858

半導体装置およびその製造方法

発明者：
近藤 将夫

近藤 将夫 について

, 
杉井 信之

杉井 信之 について

, 
木村 嘉伸

木村 嘉伸 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-292598
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108365
出願日： 2004年10月05日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 歪シリコン層に形成されたチャネル領域において、電子移動度の低下を抑制できる技術を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成されたp型シリコン-ゲルマニウム層24にp型歪シリコン層22が形成されている。このとき、p型歪シリコン層22の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。したがって、p型歪シリコン層22とp型シリコン-ゲルマニウム層24との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。また、ゲート電極26の端部下のミスフィット転位が発生している場所において、n型歪シリコン層28aおよびn型シリコン-ゲルマニウム層の不純物濃度は1×1019cm-3以下になっている。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に形成されたシリコン-ゲルマニウム層と、 (b)前記シリコン-ゲルマニウム層上に形成された歪シリコン層と、 (c)前記歪シリコン層上に形成されたゲート絶縁膜と、 (d)前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 (e)ソース領域およびドレイン領域とを備えるMISFETを含む半導体装置であって、 前記歪シリコン層の膜厚はミスフィット転位が発生する臨界膜厚よりも厚く、前記歪シリコン層と前記シリコン-ゲルマニウム層との界面には前記ミスフィット転位が存在することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H01L29/78 301B ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 618Z
Fターム (107件)：
5F048AA05 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA06 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC19 ,  5F048BC20 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F048DA18 ,  5F048DA25 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA05 ,  5F140AA08 ,  5F140AA10 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC21 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG39 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH14 ,  5F140BH18 ,  5F140BH19 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ21 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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