特許
J-GLOBAL ID：200903013086197154
半導体の電極材料および半導体レーザー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288288
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148762
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 II-VI族の半導体および半導体レーザー素子と電極との接続で、非晶質の電極材料を介在させることにより、オーム性でかつ接触抵抗の低い半導体および半導体レーザー素子を提供する。【構成】 本発明の半導体はZnSe半導体の電極材料として、p型ZnSe単膜3と金蒸着膜1との間に、非晶質p型ZnCdSe膜2を設けた。
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体と金属電極の間に非晶質のII-VI族半導体を介在させた半導体の電極材料。
IPC (2件)：
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