薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166674
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335580
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 LDD構造において素子面積を大幅に縮小し、かつLDD部の距離をソース側およびドレイン側とも同一に、しかも微細に形成する。【構成】半導体層14にチャンネル領域15c、低不純物濃度のソース・ドレイン領域15b、高不純物濃度のソース・ドレイン領域15aを積層して形成する。積層構造とすることにより素子面積の大幅な縮小が可能となる。また、LDD部の距離は、低不純物濃度のソース・ドレイン領域15bが形成される半導体層14の中間層14bの厚みで決り、この厚みによりソース側およびドレイン側とも同一に、しかも微細に形成できる。

請求項（抜粋）：

チャンネル領域を形成する半導体層の両側部分に低不純物濃度と高不純物濃度の半導体層を積層してソース・ドレイン領域を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

前のページに戻る