半導体基板の作成方法及び固体撮像装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-076893
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232141
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】結晶成長直後の状態で存在するサーマルドナー(Six Oy クラスター)のみならず、微小酸化物析出物や点欠陥クラスター等を半導体ウェハの作成工程中で消去することを可能にする。【構成】半導体インゴットのスライシング工程から半導体ウェハの研磨後の洗浄工程の間、好ましくはエッチングしてラッピングに起因したダメージや不純物を除去した後で、かつ最終研磨前において、半導体ウェハに対して水素を含有するガス雰囲気中で欠陥の分解可能な500°C以上、好ましくは900°C〜1250°Cの熱処理を施すようになす。

請求項（抜粋）：