特許

J-GLOBAL ID：200903013092062481

Cu/W基材のめっき処理方法

発明者： 宮崎 毅
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299842
公開番号（公開出願番号）：特開平9-143756
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】 従来においては、製造されたCu/W基材をセラミック基板12にろう付けするための前処理工程として、前記Cu/W基材に3回のめっき処理と3回の熱処理とを施さなければならず、前処理工程が非常に複雑であり、前処理コストも高くつくという課題があった。また、めっき被膜の厚さを厳密に管理しなければならないため、工程管理が難しいという課題もあった。【解決手段】 Wの多孔質焼結体に溶融Cuを含浸して得られるCu/W基材にめっき処理を施すCu/W基材のめっき処理方法において、前記Cu/W基材にCuめっき処理を施した後、該Cuめっき処理が施されたCu/W基材に無電解Ni-Pめっき処理を施す。

請求項（抜粋）：

Wの多孔質焼結体に溶融Cuを含浸して得られるCu/W基材にめっき処理を施すCu/W基材のめっき処理方法において、前記Cu/W基材にCuめっき処理を施すCuめっき処理工程、及び該Cuめっき処理が施されたCu/W基材に無電解Ni-Pめっき処理を施すNi-Pめっき処理工程を含んでいることを特徴とするCu/W基材のめっき処理方法。

IPC (7件)：

C23C 28/00 ,  C23C 2/34 ,  C23C 18/31 ,  C25D 5/12 ,  C23C 18/52 ,  C25D 3/38 101 ,  H01L 23/40

FI (7件)：

C23C 28/00 B ,  C23C 2/34 ,  C23C 18/31 A ,  C25D 5/12 ,  C23C 18/52 B ,  C25D 3/38 101 ,  H01L 23/40 F