特許

J-GLOBAL ID：200903013093955390

高出力半導体レーザのエンド・ミラーを準備しパッシベーションする方法および関連するレーザ・デバイス

発明者： マツシモ・デル・ジウデイーチエ ,  セルジオ・ペルグリーノ ,  フアビオ・ビデイマーリ ,  ミケーレ・ジヨバンニ・レ
出願人/特許権者： アルカテル・エヌ・ブイ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-108697
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056057
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ・ファセットが高出力動作時に劣化するのを抑制できる半導体レーザ・ファセット処理プロセスと、関連するレーザ・デバイスを提供する。【構成】 汚染物質と、雰囲気と半導体レーザの構成要素の間の反応の生成物とを除去できるプロセスを高真空条件下で提供する。同時に、望ましくない様々な非放射再結合プロセスの原因である強電子エネルギー・レベルのパッシベーション(非活性化)を行う水素拡散プロセスを実行する。さらに、半導体表面と雰囲気の間の接触を防ぐことができる保護誘電層を塗布する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザのエンド・ミラーを準備しパッシベーションする方法において、自然酸化物および表面汚染物質を除去するように前記レーザ・ミラーを高還元雰囲気で処理するステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/08 ,  H01S 3/085

FI (2件)：

G02B 1/10 Z ,  H01S 3/08 S