特許

J-GLOBAL ID：200903013097542570

処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 小林 安正 ,  窪田 直人 ,  進藤 昭則 ,  伊豆田 信彦 ,  上田 孝治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社 ,  日曹エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-146626
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338486
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】 再生処理が上限を超えた燐酸を新しい燐酸に交換することを自動化し易くし、かつ燐酸中の不純物を低減したり一定に維持可能にすることを目的とした処理装置を提供する。【解決手段】 本発明の処理装置は、半導体ウエハ1を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部3a付のエッチング槽3と、前記溢流部3aに溢流した燐酸をエッチング槽3外に導いて濾過、加熱及び純水を添加してエッチング槽3内へ戻す循環濾過経路部5と、前記エッチング処理を行なった燐酸を回収し、該燐酸にフッ酸を加えて加熱処理を行なう再生処理が行なわれる、燐酸再生装置6と、前記燐酸再生装置6で再生された燐酸を前記エッチング槽3に補給する補給配管140aとを備えている処理装置において、前記再生処理が行なわれた回数に基づき、前記エッチング槽3内の燐酸を新たな燐酸に交換する手段を有する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを熱燐酸によってエッチング処理する溢流部付のエッチング槽と、前記溢流部に溢流した燐酸をエッチング槽外に導いて濾過、加熱及び純水を添加してエッチング槽内へ戻す循環濾過経路部と、前記エッチング処理を行なった燐酸を回収し、該燐酸にフッ酸を加えて加熱処理を行なう再生処理が行なわれる、燐酸再生装置と、前記燐酸再生装置で再生された燐酸を前記エッチング槽に補給する補給配管と、を備えているウエハ処理装置において、前記再生処理が行なわれた回数に基づき、前記エッチング槽内の燐酸を新たな燐酸に交換する手段を有する、処理装置。

Fターム (3件)：

5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043EE40