特許
J-GLOBAL ID：200903013102315278
表面電位測定方法、表面電位及び表面形状測定方法、表面電位測定装置、及び、表面電位及び表面形状測定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104029
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036000
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】この発明は、表面電位を高い空間分解能で測定することを目的とする。【構成】 この発明は、誘電体反射膜と透明導電膜との間に電気光学効果を有する材料を配置した表面電位センサ21の透明導電膜に交番電位を与え、光源29からの所定の偏光状態を有する光をプローブ光として表面電位センサ21に入射させ、被測定物25の表面電位により表面電位センサ21の電気光学効果に基づいて生ずる前記プローブ光の偏光状態の変化を検光子28を通過させることで光強度信号に変換し、この光強度信号を前記透明導電膜に与えられる交番電位の周波数で同期検波して測定信号を得る。
請求項（抜粋）：
誘電体反射膜と透明導電膜との間に電気光学効果を有する材料を配置した表面電位センサを用いて被測定物の表面電位による前記表面電位センサの電気光学効果に基づく屈折率の変化を光によって検知することで被測定物の表面電位を測定する表面電位測定方法において、前記透明導電膜に所定のバイアス電位、及び所定の周波数と振幅電圧で振動する交番電位を与え、光源からの所定の偏光状態を有する光をプローブ光として前記表面電位センサに入射させ、被測定物の表面電位により前記表面電位センサの電気光学効果に基づいて生ずる前記プローブ光の偏光状態の変化を検光子を通過させることで光強度信号に変換し、この光強度信号を前記透明導電膜に与えられる交番電位の周波数で同期検波して測定信号を得るようにしたことを特徴とする表面電位測定方法。
IPC (5件)：
G01R 19/00
, G01B 11/24
, G01R 15/24
, G01R 29/12
, G03G 21/00 370
