特許
J-GLOBAL ID：200903013103717892
半導体集積回路およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161626
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017854
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 ICによって増幅器を構成する場合に、基板抵抗の影響を受けて生ずる利得の帯域内偏差をなくすことが可能な技術を提供する。【構成】 例えばSiCからなる絶縁物基板2上に酸化膜(SiO2)からなる絶縁膜3を介してSi単結晶からなる半導体層4が形成され、この半導体層4は例えば酸化膜のような絶縁物分離層4によって複数の領域4A、4B、4C...に絶縁分離されて、複数の領域には所望の回路素子が形成されている。絶縁物基板2を用いることで基板抵抗を極めて大きくできるので、基板抵抗Rsの影響はなくなるため、増幅器により広帯域増幅器を構成した場合、利得対周波数の関係を示す周波数特性は、低周波帯域から高周波帯域に及ぶ広帯域にわたってフラットな利得を示すようになる。
請求項（抜粋）：
絶縁物基板上に絶縁膜を介して半導体層が形成され、この半導体層が複数の領域に絶縁分離されて、各領域の半導体層に所望の回路素子が形成されたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 D
, H01L 27/12 B
