特許
J-GLOBAL ID：200903013104867235
半導体薄膜センサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-307388
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131075
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 内部応力によるセンサの検出精度低下を防ぎ、センサの検出精度を高くする。【解決手段】 センサ全体が半導体薄膜より形成され、基板100上に浮動支持された可動部25と、可動部25の変位を静電容量変化により検出する検出部13/33を備えた半導体薄膜センサにおいて、可動部25に一端が接続され所定方向に撓み性が高い第1梁1〜4/21〜24、第1梁の他端に接続された構造体11/31、構造体11/31を基板上に支持する第2梁6〜9を備え、第2梁6〜9は、基板平面上において構造体10と接続部CPで接続され、基板平面上の一点Oから接続部CPを通る直線32の方向に変位容易であり、直線32に直交する法線方向には変異困難とし、接続部CPは前記平面上において一直線上に並ばないよう、3点以上存在するようにした。
請求項（抜粋）：
センサ全体が半導体薄膜より形成され、基板上に浮動支持された可動部と、前記可動部の変位を静電容量変化により検出する検出部を備えた半導体薄膜センサにおいて、前記可動部に一端が接続され所定方向に撓み性が高い第1梁、該第1梁の他端に接続された構造体、該構造体を前記基板上に支持する第2梁を備え、該第2梁は、基板平面上において前記構造体と接続部で接続されており、基板平面上の一点から前記接続部を通る直線の方向に変位容易であり、該直線に直交する法線方向には変異困難とし、前記接続部は前記平面上において一直線上に並ばない3点以上存在することを特徴とする半導体薄膜センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
2F105BB04
, 2F105BB14
, 2F105BB20
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD05
, 2F105CD13
