特許

J-GLOBAL ID：200903013105299923

はんだバンプ形成方法

発明者： 田中 厚志 ,  渦巻 拓也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146492
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018210
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ICチップ等半導体デバイスの回路基板への実装技術に関し、微細で均一なはんだパンプの形成方法を提供する。【構成】 逆テーパー状の開口部1を有する金属マスク2を用いて、基板3上の電極4にはんだバンプ形成用の低融点金属5を蒸着する。また、低融点金属5を蒸着後、真空を破らずに低融点金属5のリフロー加熱を行い、はんだバンプ6を形成する。

請求項（抜粋）：

逆テーパー状の開口部(1) を有する金属マスク(2) を用いて、基板(3) 上の電極(4) にはんだバンプ形成用の低融点金属(5) を蒸着することを特徴とするはんだバンプ形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/34 505 ,  C23C 14/30 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/24