特許
J-GLOBAL ID：200903013106374201
多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面を用いたZnO薄膜電極構造体及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339766
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255491
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：
【要約】【課題】 ガラス基板上に成膜されている多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面の酸素配列を用いたZnO薄膜の電極構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、前記基板上に形成されている立方構造または類似立方構造の酸化物薄膜層と、前記酸化物薄膜層上に形成されているZnO層を具備する。このような本発明の電極構造体はLCDのような平板ディスプレーまたは太陽電池等に適用でき、良好なZnOの結晶性により良質の製品が得られる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成されている立方構造または類似立方構造の酸化物薄膜層と、前記酸化物薄膜層上に形成されているZnO層を具備することを特徴とする多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面を用いたZnO薄膜電極構造体。
IPC (6件)：
C30B 29/16
, B32B 9/00
, C03C 17/34
, C23C 14/08
, H01B 5/14
, H01L 21/28 301
C30B 29/16
, B32B 9/00 A
, C03C 17/34 Z
, C23C 14/08 N
, H01B 5/14 A
, H01L 21/28 301 Z
