特許

J-GLOBAL ID：200903013109822990

半導体装置

発明者： 坪野谷 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089254
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286377
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板を採用したチップサイズパッケージに於いて、高価なセラミック基板を省略する。【解決手段】 フレーム10のアイランド11に半導体チップを実装する。封止の際は、接続片13、14の裏面が樹脂封止体の裏面に露出するように構成し、最終的には連結体をダイシングして取り除く。接続片13、14は、樹脂封止体の表面に付いているため、ダイシング等の衝撃で剥離の可能性があるが、接続片の側面に凹凸Tが設けられることで、この剥離も防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの少なくとも1側辺に近接して設けられた複数の接続片と、前記接続片を一体化する連結体と、前記半導体チップと前記接続片を接続する手段と、前記接続片、連結体および手段を封止する樹脂封止体とを備えた半導体装置であり、前記半導体装置裏面から前記連結体を取り除くことで前記接続片を個々に分離し、前記分離した領域以外の前記連結体の側面に前記樹脂封止体との密着性を向上する食い付きを部を設けた事を特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28

FI (5件)：

H01L 23/50 R ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/28 A

Fターム (31件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA07 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  4M109FA01 ,  5F044AA01 ,  5F044GG03 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12 ,  5F067AA01 ,  5F067AA04 ,  5F067AB04 ,  5F067BA02 ,  5F067BA03 ,  5F067BC12 ,  5F067BD05 ,  5F067BE09 ,  5F067BE10 ,  5F067DE01 ,  5F067DF20