特許

J-GLOBAL ID：200903013116798360

光半導体素子

発明者： 遠 山 政 樹 ,  船 水 将 久 ,  平 山 雄 三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275960
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 高速変調動作と高出力動作が得られ、かつ波長チャープの小さい光源を提供する。【解決手段】 出射端面近傍において光導波層を除去すると同時に、出射端面に向かって放射される光の広がり角に応じて、狭メサ形状を呈したクラッド層の幅を変化させて形成する。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の光導波層がクラッド層により埋め込まれており、前記クラッド層が前記光導波層を含んだ狭メサ形状を呈している光半導体素子において、出射端面近傍で前記光導波層が除去されていると同時に、前記光導波層の端部から出射端面に向かって放射される光の広がり角に応じて、出射端面近傍において前記クラッド層の幅もしくは厚さが変化するように形成されていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/025

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  G02B 6/12 B