特許

J-GLOBAL ID：200903013117682463

超伝導三端子素子及びその製造方法

発明者： 赤崎 達志 ,  高柳 英明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-072164
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260113
出願日： 2004年03月15日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】2つの超伝導電極間をカーボンナノチューブで接続し、カーボンナノチューブに流れる超伝導電流をゲート電極で制御する超伝導三端子素子に、より多くの超伝導電流が流せるようにする。【解決手段】シリコンからなる基板101と、基板101の上に形成された絶縁層102と、絶縁層102の上に設けられたカーボンナノチューブ104と、カーボンナノチューブ104の一端部に、合金層115を介してオーミック接続した超伝導ソース電極105と、カーボンナノチューブ104の他端部に、合金層116を介してオーミック接続した超伝導ドレイン電極106と、基板101の裏面に形成された金属電極層107とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体から構成された基板の上に絶縁層を介して配置されたカーボンナノチューブと、 このカーボンナノチューブの両端部にオーミック接続した2つの超伝導電極と、 前記カーボンナノチューブにゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極と、 前記カーボンナノチューブと前記超伝導電極との界面に形成されて、超伝導金属の炭素化合物から構成された合金層と を備えることを特徴とする超伝導三端子素子。

IPC (3件)：

H01L39/22 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

FI (3件)：

H01L39/22 G ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N

Fターム (3件)：

4M113AB11 ,  4M113CA11 ,  4M113CA17