特許

J-GLOBAL ID：200903013119735149

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 齋藤 清雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058351
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜太陽電池をユニットセルに分割し、直列接続構造とするためのパターニング工程を簡易化する。【構成】アモルファス半導体層31,32,33にレーザビームを照射して結晶化すると下層の電極層21,22,23との付着力が減少するので、その上に成膜した電極層と共に容易に剥離することができる。この結晶化は、アモルファス半導体層のパターニングと同時に行うことができ、上層の電極層41,42,43のパターニング工程を省略することができる。これにより薄膜太陽電池の製造工程の簡易化が可能になる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一面上に順次積層する第一電極層、アモルファス半導体層、第二電極層をそれぞれパターニングして、第一電極層、アモルファス半導体層、第二電極層よりなる短冊状のユニットセルの複数個が基板上に間隙を介して位置し、その間隙において一つのユニットセルの第一電極層の延長部に他のユニットセルの第二電極層の延長部が重なるようにすることにより、各ユニットセルが直列接続される薄膜太陽電池の製造方法において、基板上に成膜した第一電極をパターニングする工程と、その上に成膜したアモルファス半導体層をパターニングする工程と、アモルファス半導体層のパターンの縁部に平行に局部的にエネルギービームを照射してアモルファス半導体層を結晶化する工程と、結晶化した半導体層をその上に成膜した第二電極層と共に第一電極層から剥離する工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。