インバータ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105254
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318858
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】液晶ディスプレイ、密着型イメージセンサ、液晶シャッタ、および蛍光表示管等の周辺駆動回路に用いられるインバータ回路の高耐圧化を目的とする。【構成】入力端子10と出力端子20とP型MOSトランジスタP1およびP2とN型MOSトランジスタN1およびN2とを備え、電源電位VDDおよび接地電位GND間にP型MOSトランジスタP1とN型MOSトランジスタN1とN型MOSトランジスタN2とが直列接続の状態で挿入され、電源電位1/2VDDとN型MOSトランジスタN1およびN2の直列接続点との間にP型MOSトランジスタP2が挿入され、各トランジスタP1、P2、N1、およびN2のゲート電極が入力端子10と共通接続され、P型MOSトランジスタP1およびN型MOSトランジスタN1の直列接続点が出力端子20に接続される。

請求項（抜粋）：

第1の電源電位および接地電位間に第1のPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタと第1のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタと第2のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタとが直列接続の状態で挿入され、第2の電源電位と前記第1のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタおよび前記第2のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタとの直列接続点との間に第2のPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタが挿入され、前記各絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極が入力端子と共通接続され、前記第1のPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタおよび第1のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの直列接続点が出力端子に接続されたことを特徴とするインバータ回路。

IPC (5件)：

H03K 19/003 , G09G 3/00 , H03K 17/10 , H03K 17/687 , H03K 19/0948

FI (2件)：

H03K 17/687 F , H03K 19/094 B

前のページに戻る