特許

J-GLOBAL ID：200903013129214805

半導体装置とその製造方法

発明者： 神田 浩二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330121
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子上にAlパッドを形成して成る半導体装置に関し、Alの熱応力等によるストレスの影響を抑制する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成した外部導出電極部としてのAlパッド9上にバンプ電極16を形成する半導体装置において、前記Alパッド9の内部には、その外周面に沿って環状にスリット10が形成され、かつ該Alパッド9下方には下層配線3a,3b等の半導体素子が形成されていることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成した外部導出電極部としてのパッド上に半田バンプや金バンプから成るバンプ電極を形成する半導体装置において、前記パッドの内部にはスリットが形成され、かつ該パッド下方には半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 Z